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数字式硅晶体少子寿命测试仪

产品时间:2019-10-11

简要描述:

1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。
3、配备专用软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。

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·数字式硅晶体少子寿命测试仪

型号:KDK-LT-100C

为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。                                                      

      该设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次全国十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟可靠的测试方法,特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,制样简便。

 

KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点:

1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。

2、  可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。

3、配备专用软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。

4、配置两种波长的红外光源:

a、红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。

b、短波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体。

5、测量范围宽广

测试仪可直接测量:

a、研磨或切割面:电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。

b、抛光面:电阻率在0.3~0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。

寿命可测范围     0.25μS—10ms      

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