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硅光电池特性实验仪HD-THKGD-1

产品时间:2019-09-10

简要描述:

配置及技术性能
1. 光驱动电流显示:范围0~2000,三位半LED数码显示
2. 接收光强度显示:范围0~2000,三位半LED数码显示
3. 发光二极管:电信号转化为光信号(超高亮度)
4. 硅光电池:光信号转化为电信号
5. 功能切换开关:零偏、负偏、负载切换

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一、概 述

半导体光探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛的应用,硅光电池是半导体探测器的一个基本单元,通过本实验对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究,对于了解使用日益广泛的各种光电器件,具有十分重要的意义。

二、配置及技术性能

  1. 光驱动电流显示:范围0~2000,三位半LED数码显示
  2. 接收光强度显示:范围0~2000,三位半LED数码显示
  3. 发光二极管:电信号转化为光信号(超高亮度)
  4. 硅光电池:光信号转化为电信号
  5. 功能切换开关:零偏、负偏、负载切换
  6. I/V转换模块
  7. 电阻箱:0~99990Ω

三、实验项目

  1. 硅光电池输出短路时光电流与光信号的关系
  2. 硅光电池输出开路时产生光伏电压与输入信号的关系
  3. 硅光电池的频率响应
  4. 硅光电池输出功率与负载关系

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